Синтез и электрохимические свойства двумерного карбида гафния.

Приготовление mxenes в основном получается путем селективного травления атомов Al в максимальной фазовой материале с положением Al в кислоте HF, растворе NH4HF2, растворе смеси LIF и HCl и низкой эвтектической смешанной солевой средой. Поскольку переходные металлы сложно сформировать максимальную фазу с AS AS, до настоящего времени нет отчета о материалах MXENES ZR и HF. По сравнению с материалами ZR -серию, HF -пластинчаточный карбид труднее получить одну фазу, исследователи на основе метода решений настройки элементарной ячейки в мышлении слоя, введение небольшого количества Si в AL, используя метод SPS Чтобы синтезировать новый тип твердого материала, в твердом растворе в качестве предшественника, с агентом HF кислотного травления, реализованного с помощью Al (Si) - C Структурной единицы селективной дискриминации, двухмерный материал HF был получен впервые. С помощью энергии связывания и расчета атомного заряда был выяснен микромеханизм, способствующий легированию Si, способствуя продуцирующему процессу утравления гидрофлуорической кислоты. Серия новых двухмерных карбидных материалов HF имеет потенциальные применения в хранении энергии, поглощении волн и оптоэлектронных устройствах. Ожидается, что материалы для определенных объемов будут использоваться в миниатюрных системах энергоснабжения, таких как космические транспортные средства и мобильное оборудование.